4A(Ta),14A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
60 V100 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
68 毫欧 @ 5A,10V69 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.9V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V14 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
390 pF @ 50 V740 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)2.5W(Ta),30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
PowerDI3333-8(SWP)UX 类TO-251ATO-252(DPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AOI4286
AOI4286
MOSFET N-CH 100V 4A/14A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
10,635
现货
1 : ¥5.01000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 5A,10V
2.9V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线,IPAK
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN6069SFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.37068
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
740 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN6069SFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
84,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.37067
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
740 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN6069SFVW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.44306
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
740 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN_BOTTOM
DMN6069SFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
Diodes Incorporated
0
现货
20,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥1.44308
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
740 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI3333-8(SWP)UX 类
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.83148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4A(Ta),14A(Tc)
4.5V,10V
68 毫欧 @ 5A,10V
2.9V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
390 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 6

4A(Ta),14A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。