49A（Ta），85A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 20A，10V2.2 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64 nC @ 10 V105 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3430 pF @ 15 V5570 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），119W（Tc）7.4W（Ta），83W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6502
MOSFET N-CH 30V 49A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
6,859
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.65585
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
49A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
3430 pF @ 15 V
-
7.4W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.52339
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
49A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
1.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
5570 pF @ 20 V
-
6.2W（Ta），119W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
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49A（Ta），85A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。