440mA（Ta） 单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedDiotec Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V1.8V，2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 欧姆 @ 100mA，4V1.5 欧姆 @ 10mA，4V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 100µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.3 pF @ 25 V44.8 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）450mW（Ta）530mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）X1-DFN1006-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2005LPK-7
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Diodes Incorporated
46,854
现货
1,926,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83242
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
440mA（Ta）
1.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.2V @ 100µA
-
±10V
-
-
450mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
MMBZ9V1CA-AQ
MMFTN6001
MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Diotec Semiconductor
2,085
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21222
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
440mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
23.3 pF @ 25 V
-
530mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN32D0LFB4-7B
MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
Diodes Incorporated
9,868
现货
200,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.59485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
440mA（Ta）
1.8V，2.5V，4.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±10V
44.8 pF @ 15 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
/ 3

440mA（Ta） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。