43.3A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPW65R080CFDFKSA2 MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Infineon Technologies	154 现货	1 : ¥76.43000 管件	CoolMOS™ CFD2	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	43.3A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.8mA	167 nC @ 10 V	±20V	5030 pF @ 100 V	-	391W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3
IPW65R080CFDAFKSA1 MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥92.03000 管件	CoolMOS™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	43.3A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.76mA	161 nC @ 10 V	±20V	4440 pF @ 100 V	-	391W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	PG-TO247-3	TO-247-3
DMT6012LFV-13 MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货查看交期	3,000 : ¥1.95938 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	43.3A（Tc）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	22.2 nC @ 10 V	±20V	1522 pF @ 30 V	-	1.95W（Ta），33.78W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI3333-8（UX 类）	8-PowerVDFN
DMT6012LFV-7 MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333 Diodes Incorporated	0 现货 34,000 工厂查看交期	2,000 : ¥1.95935 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	43.3A（Tc）	4.5V，10V	12 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	22.2 nC @ 10 V	±20V	1522 pF @ 30 V	-	1.95W（Ta），33.78W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	PowerDI3333-8（UX 类）	8-PowerVDFN
IPW65R080CFDFKSA1 MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Infineon Technologies	0 现货	3,120 : ¥45.01675 管件	CoolMOS™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	700 V	43.3A（Tc）	10V	80 毫欧 @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.76mA	170 nC @ 10 V	±20V	5030 pF @ 100 V	-	391W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	PG-TO247-3-1	TO-247-3