40A 单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Harris CorporationMicro Commercial CoRenesas Electronics Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V150 V450 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 20A，10V14 毫欧 @ 12A，10V16.9 毫欧 @ 20A，10V17 毫欧 @ 28A，10V18.5 毫欧 @ 20A，10V52 毫欧 @ 20A，10V56 毫欧 @ 15A， 10V150 毫欧 @ 20A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 1mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 10 V16 nC @ 10 V25 nC @ 10 V35 nC @ 10 V40 nC @ 10 V72 nC @ 10 V94 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
722 pF @ 15 V1051 pF @ 50 V1218 pF @ 50 V1420 pF @ 25 V2100 pF @ 50 V2960 pF @ 20 V3400 pF @ 30 V5800 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.25W1.25W（Ta），50W（Tc）20.8W43W100W125W（Tj）-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）150°C-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKDFN3333DPAKLDPAKTO-252（DPAK）TO-263ABTO-3PL
封装/外壳
8-VDFN 裸露焊盘SC-83TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-3P-3，SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK
MCB40P10Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
Micro Commercial Co
1,297
现货
1 : ¥16.67000
剪切带（CT）
800 : ¥9.30355
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
4.5V，10V
56 毫欧 @ 15A， 10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
125W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
RF1S40N10SM
N-CHANNEL POWER MOSFET
Harris Corporation
420
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
TO-263AB
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
RJK1535DPE-LE
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
Renesas Electronics Corporation
7,899
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
40A
10V
52 毫欧 @ 20A，10V
4.5V @ 1mA
35 nC @ 10 V
±30V
1420 pF @ 25 V
-
100W
150°C
-
-
表面贴装型
LDPAK
SC-83
528
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
40A
10V
150 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 1mA
-
±30V
5800 pF @ 10 V
-
-
150°C
-
-
通孔
TO-3PL
TO-3P-3，SC-65-3
0
现货
5,000 : ¥1.75427
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A
4.5V，10V
7 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
722 pF @ 15 V
-
20.8W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
查看交期
5,000 : ¥2.84439
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
4.5V，10V
18.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
1051 pF @ 50 V
-
43W
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
40A
10V
14 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
2960 pF @ 20 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU40N10-TP
MOSFET N-CH 100VDS 20VGS 40A 160
Micro Commercial Co
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
10V
17 毫欧 @ 28A，10V
2.5V @ 250µA
94 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 30 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MBRD6100CT-TP
MCU40N10AHE3-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
Micro Commercial Co
0
现货
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A
6V，10V
16.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1218 pF @ 50 V
-
1.25W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 9

40A 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。