40.3A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 5
技术
SiC（碳化硅结晶体管）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 10A，15V85 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 10mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58.8 nC @ 15 V62.3 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-5V+18V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1716 pF @ 800 V1762 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
187.5W（Ta）187.5W（Tj）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
TO-247TO-247-4L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
230
现货
1 : ¥97.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
650 V
40.3A（Tc）
15V
85 毫欧 @ 10A，15V
3.5V @ 10mA
58.8 nC @ 15 V
+15V，-5V
1762 pF @ 400 V
-
187.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM
AOK065V120X2
SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
238
现货
1 : ¥104.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
40.3A（Tc）
15V
85 毫欧 @ 20A，15V
3.5V @ 250µA
62.3 nC @ 15 V
+18V，-8V
1716 pF @ 800 V
-
187.5W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
238
现货
1 : ¥104.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
40.3A（Tc）
15V
85 毫欧 @ 10A，15V
3.5V @ 10mA
62.3 nC @ 15 V
+18V，-8V
1716 pF @ 800 V
-
187.5W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
240
现货
1 : ¥125.04000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
40.3A（Tc）
15V
85 毫欧 @ 10A，15V
3.5V @ 10mA
62.3 nC @ 15 V
+15V，-5V
1716 pF @ 800 V
-
187.5W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247
TO-247-3
238
现货
1 : ¥125.04000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiC（碳化硅结晶体管）
1200 V
40.3A（Tc）
15V
85 毫欧 @ 10A，15V
3.5V @ 10mA
62.3 nC @ 15 V
+15V，-5V
1716 pF @ 800 V
-
187.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 5

40.3A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。