4-UFBGA，WLBGA 单 FET，MOSFET

结果 : 8
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A（Ta）3.3A（Ta）4.1A（Ta）4.6A（Ta）4.8A（Ta）5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
23 毫欧 @ 1A，4.5V26 毫欧 @ 1A，4.5V40 毫欧 @ 1.5A，4.5V45 毫欧 @ 1A，4.5V47 毫欧 @ 1A，4.5V80 毫欧 @ 500mA，4.5V102 毫欧 @ 500mA，4.5V10欧姆 @ 100mA，0.9V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
650mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V47 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
-6V-5V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
218 pF @ 10 V251 pF @ 6 V288 pF @ 6 V350 pF @ 6 V450 pF @ 6 V1400 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
720mW800mW（Ta）820mW（Ta）900mW（Ta）1W（Ta）1.4W
供应商器件封装
U-WLB1010-4U-WLB1010-4（C 类）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
DMN2044UCB4-7
MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
3,578
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57478
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.3A（Ta）
1.5V，4.5V
40 毫欧 @ 1.5A，4.5V
900mV @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
1400 pF @ 10 V
-
720mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
8,933
现货
420,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
47 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
DMN1032UCB4-7
MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.8A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±8V
450 pF @ 6 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
DMP1081UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.3A（Ta）
0.9V，4.5V
10欧姆 @ 100mA，0.9V
650mV @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
-6V
350 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
DMP1096UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.6A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.5V，4.5V
102 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
3.7 nC @ 4.5 V
-5V
251 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
DMP1080UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
3.3A（Ta）
1.5V，4.5V
80 毫欧 @ 500mA，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
-6V
350 pF @ 6 V
-
820mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
DMP2042UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.5 nC @ 4.5 V
-6V
218 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
DMN1023UCB4-7
MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
N 通道
-
12 V
5.1A（Ta）
1.8V，4.5V
23 毫欧 @ 1A，4.5V
1.2V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
288 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-WLB1010-4（C 类）
4-UFBGA，WLBGA
显示
/ 8

4-UFBGA，WLBGA 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。