4.4A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 58

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SI2377EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 Vishay Siliconix	24,871 现货	1 : ¥3.45000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.16191 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	20 V	4.4A（Tc）	1.5V，4.5V	61 毫欧 @ 3.2A，4.5V	1V @ 250µA	21 nC @ 8 V	±8V	-	-	1.25W（Ta），1.8W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 Vishay Siliconix	41,711 现货	1 : ¥4.52000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.52883 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	4.4A（Tc）	4.5V，10V	77 毫欧 @ 3.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	595 pF @ 20 V	-	1.25W（Ta），2.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3（TO-236）	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IPD60R950C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 Infineon Technologies	7,243 现货	1 : ¥9.77000 剪切带（CT） 2,500 : ¥4.05088 卷带（TR）	CoolMOS™ C6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	4.4A（Tc）	10V	950 毫欧 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 100 V	-	37W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TO252-3	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SIHD5N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET DPAK (TO-2 Vishay Siliconix	3,292 现货	1 : ¥8.62000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4.4A（Tc）	10V	1.35 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±30V	321 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP5NK50Z MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB STMicroelectronics	1,665 现货	1 : ¥8.95000 管件	SuperMESH™	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	4.4A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4.5V @ 50µA	28 nC @ 10 V	±30V	535 pF @ 25 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
STD5N52U MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK STMicroelectronics	7,472 现货	1 : ¥9.61000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.98635 卷带（TR）	UltraFASTmesh™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	525 V	4.4A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4.5V @ 50µA	16.9 nC @ 10 V	±30V	529 pF @ 25 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
STP5NK50ZFP MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP STMicroelectronics	845 现货	1 : ¥10.92000 管件	SuperMESH™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	4.4A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4.5V @ 50µA	28 nC @ 10 V	±30V	535 pF @ 25 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
SIHP5N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Vishay Siliconix	988 现货	1 : ¥11.99000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4.4A（Tc）	10V	1.35 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±30V	321 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
STP5NK52ZD MOSFET N-CH 520V 4.4A TO220AB STMicroelectronics	1,334 现货	1 : ¥12.40000 管件	SuperMESH™	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	520 V	4.4A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4.5V @ 50µA	16.9 nC @ 10 V	±30V	529 pF @ 25 V	-	25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220	TO-220-3
SIHU5N80AE-GE3 MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA Vishay Siliconix	2,961 现货	1 : ¥6.57000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4.4A（Tc）	10V	1.35 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±30V	321 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
PJMF900N60E1_T0_00001 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS Panjit International Inc.	1,996 现货	1 : ¥7.64000 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	4.4A（Tc）	10V	900 毫欧 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11.5 nC @ 10 V	±30V	344 pF @ 400 V	-	23.6W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	ITO-220AB-F	TO-220-3 全封装，隔离接片
STD5NK50ZT4 MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK STMicroelectronics	2,430 现货	1 : ¥12.40000 剪切带（CT） 2,500 : ¥5.21526 卷带（TR）	SuperMESH™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	4.4A（Tc）	10V	1.5 欧姆 @ 2.2A，10V	4.5V @ 50µA	28 nC @ 10 V	±30V	535 pF @ 25 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SIHB5N80AE-GE3 E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO- Vishay Siliconix	655 现货	1 : ¥12.73000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4.4A（Tc）	10V	1.35 欧姆 @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±30V	321 pF @ 100 V	-	62.5W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDU6N25 MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK onsemi	0 现货	停产	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	4.4A（Tc）	10V	1.1 欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	6 nC @ 10 V	±30V	250 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK
FDU6N25 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor	11,072 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	4.4A（Tc）	10V	1.1 欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	6 nC @ 10 V	±30V	250 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK
NDF04N62ZG MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP onsemi	0 现货 7,334 市场	停产	-	管件管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	620 V	4.4A（Tc）	10V	2 欧姆 @ 2A，10V	4.5V @ 50µA	19 nC @ 10 V	±30V	535 pF @ 25 V	-	28W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220FP	TO-220-3 整包
SFS9630 P-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	16,033 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	4.4A（Tc）	10V	800 毫欧 @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	36 nC @ 10 V	±30V	965 pF @ 25 V	-	33W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220F	TO-220-3 整包
FQD5N30TF MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Fairchild Semiconductor	6,905 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	4.4A（Tc）	10V	900 毫欧 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	430 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQD5N30TM MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK Fairchild Semiconductor	1,623 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	300 V	4.4A（Tc）	10V	900 毫欧 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	13 nC @ 10 V	±30V	430 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPP60R950C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3 Infineon Technologies	0 现货 74,450 市场	停产	CoolMOS™	管件管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	4.4A（Tc）	10V	950 毫欧 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 100 V	-	37W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	PG-TO220-3	TO-220-3
G3401L P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70 Goford Semiconductor	2,135 现货	1 : ¥3.69000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.81633 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	4.4A（Tc）	2.5V，4.5V，10V	55 毫欧 @ 4A，10V	1.3V @ 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±12V	880 pF @ 15 V	-	1.3W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	SOT-23-3	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
FQU6N25TU MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK Fairchild Semiconductor	6,803 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	4.4A（Tc）	10V	1 欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	8.5 nC @ 10 V	±30V	300 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），45W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	IPAK	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRF624SPBF MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK Vishay Siliconix	1,699 现货	1 : ¥11.66000 管件	-	管件	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	4.4A（Tc）	10V	1.1 欧姆 @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	260 pF @ 25 V	-	3.1W（Ta），50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQAF6N80 MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF Fairchild Semiconductor	892 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	800 V	4.4A（Tc）	10V	1.95 欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	31 nC @ 10 V	±30V	1500 pF @ 25 V	-	90W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3PF	TO-3P-3 整包
FDD6N25TM POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 Fairchild Semiconductor	1,059,249 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET™	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	4.4A（Tc）	10V	1.1 欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	6 nC @ 10 V	±30V	250 pF @ 25 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63