4.3A（Ta），5.6A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
UMWVishay Siliconix
系列
-UMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V9 nC @ 20 V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23(TO-236)
SI2318CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
10,109
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85790
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.3A（Ta），5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SI2318A
SI2318A
SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
UMW
2,403
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82363
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.3A（Ta），5.6A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.3A，10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 20 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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4.3A（Ta），5.6A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。