4.25V ~ 4.75V 单 FET，MOSFET

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMTH6005LFG-13
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
Diodes Incorporated
0
现货
3,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥3.98326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.25V ~ 4.75V
4.5V，10V
4.1 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48.7 nC @ 10 V
±20V
3150 pF @ 30 V
-
59°F ~ 95°F（15°C ~ 35°C）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMTH6005LFG-7
MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,000 : ¥3.98328
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.25V ~ 4.75V
4.5V，10V
4.1 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
48.7 nC @ 10 V
±20V
3150 pF @ 30 V
-
59°F ~ 95°F（15°C ~ 35°C）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
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4.25V ~ 4.75V 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。