35A（Ta）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

ATP113-TL-H MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK onsemi	4,343 现货	1 : ¥13.38000 剪切带（CT） 3,000 : ¥6.03245 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35A（Ta）	4V，10V	29.5 毫欧 @ 18A，10V	-	55 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 20 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	ATPAK	ATPAK（2 引线 + 凸片）
CSD17577Q3A MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Texas Instruments	18,871 现货	1 : ¥5.17000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.96145 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 16A，10V	1.8V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	2310 pF @ 15 V	-	2.8W（Ta），53W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（3x3.3）	8-PowerVDFN
RJK0451DPB-00#J5 MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK Renesas Electronics Corporation	0 现货查看交期	1 : ¥14.37000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.48460 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	35A（Ta）	4.5V，10V	7 毫欧 @ 17.5A，10V	-	14 nC @ 4.5 V	±20V	2010 pF @ 10 V	-	45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
CSD17577Q3AT MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Texas Instruments	3,520 现货	1 : ¥11.33000 剪切带（CT） 250 : ¥5.01948 卷带（TR）	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	4.8 毫欧 @ 16A，10V	1.8V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	2310 pF @ 15 V	-	2.8W（Ta），53W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-VSONP（3x3.3）	8-PowerVDFN
RJK0856DPB-00#J5 MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2,500 现货	2,500 : ¥11.42391 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	35A（Ta）	10V	8.9 毫欧 @ 17.5A，10V	-	40 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 10 V	-	65W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
RJK0332DPB-01#J0 MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2,500 现货	1 : ¥15.27000 剪切带（CT） 2,500 : ¥6.88162 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	4.7 毫欧 @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 nC @ 4.5 V	±20V	2180 pF @ 10 V	-	45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
RJK03M4DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	6,000 现货	3,000 : ¥5.50057 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	4.6 毫欧 @ 17.5A，10V	-	12 nC @ 4.5 V	±20V	2170 pF @ 10 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-WFDFN 裸露焊盘
RJK0353DPA-01#J0B MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	7,500 现货	2,500 : ¥7.11320 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 nC @ 4.5 V	±20V	2180 pF @ 10 V	-	40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
RJK0652DPB-00#J5 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2,500 现货	2,500 : ¥9.26371 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35A（Ta）	4.5V，10V	7 毫欧 @ 17.5A，10V	-	29 nC @ 4.5 V	±20V	4100 pF @ 10 V	-	55W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
RJK0655DPB-00#J5 MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK Renesas Electronics Corporation	2,500 现货	1 : ¥22.08000 剪切带（CT） 2,500 : ¥9.96953 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35A（Ta）	10V	6.7 毫欧 @ 17.5A，10V	-	35 nC @ 10 V	±20V	2550 pF @ 10 V	-	60W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK	SC-100，SOT-669
TK35S04K3L(T6L1,NQ MOSFET N-CH 40V 35A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	1,770 现货	1 : ¥10.84000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.46979 卷带（TR）	U-MOSIV	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	35A（Ta）	6V，10V	10.3 毫欧 @ 17.5A，10V	3V @ 1mA	28 nC @ 10 V	±20V	1370 pF @ 10 V	-	58W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK+	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTMFS0D55N03CGT1G WIDE SOA onsemi	750 现货	1 : ¥24.14000 剪切带（CT） 1,500 : ¥12.47315 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	10V	0.58mOhm @ 30A，10V	2.2V @ 330µA	224.9 nC @ 10 V	±20V	18500 pF @ 15 V	-	1.1W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	5-DFN（5x6）（8-SOFL）	8-PowerTDFN，5 引线
ATP201-TL-H MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK onsemi	0 现货 15,000 市场	停产	-	卷带（TR）散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	17 毫欧 @ 18A，10V	-	17 nC @ 10 V	±20V	985 pF @ 10 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	ATPAK	ATPAK（2 引线 + 凸片）
RJK0394DPA-00#J5A MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK Renesas Electronics Corporation	96,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	-	5.3 毫欧 @ 17.5A，10V	-	15.5 nC @ 4.5 V	-	2430 pF @ 10 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-WPAK	8-PowerWDFN
RJJ0315DPA-00#J5A MOSFET P-CH 30V 35A Renesas Electronics Corporation	2,850 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	-	5.9 毫欧 @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	48 nC @ 4.5 V	-	4300 pF @ 10 V	-	30W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	-	8-WDFN 裸露焊盘
H5N2305P-E POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Renesas Electronics Corporation	310 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	230 V	35A（Ta）	10V	700 毫欧 @ 6A，10V	4V @ 1mA	105 nC @ 10 V	±30V	-	-	60W（Tc）	150°C	-	-	通孔	TO-3PFM	TO-3PFM，SC-93-3
TK35N65W5,S1F MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	30 现货	1 : ¥69.62000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	35A（Ta）	10V	95 毫欧 @ 17.5A，10V	4.5V @ 2.1mA	115 nC @ 10 V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
TK35A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	13 现货	1 : ¥49.75000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	35A（Ta）	10V	80 毫欧 @ 17.5A，10V	3.5V @ 2.1mA	100 nC @ 10 V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	50W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220SIS	TO-220-3 整包
TK35N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Toshiba Semiconductor and Storage	5 现货	1 : ¥60.26000 管件	DTMOSIV	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	35A（Ta）	10V	80 毫欧 @ 17.5A，10V	3.5V @ 2.1mA	100 nC @ 10 V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247	TO-247-3
ATP212-TL-H MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK onsemi	0 现货	1 : ¥8.29000 剪切带（CT） 3,000 : ¥3.42382 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35A（Ta）	4V，10V	23 毫欧 @ 18A，10V	-	34.5 nC @ 10 V	±20V	1820 pF @ 20 V	-	40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	ATPAK	ATPAK（2 引线 + 凸片）
2SK3662(F) MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	50 : ¥13.99280 散装	U-MOSIII	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	35A（Ta）	4V，10V	12.5 毫欧 @ 18A，10V	2.5V @ 1mA	91 nC @ 10 V	±20V	5120 pF @ 10 V	-	35W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220NIS	TO-220-3 整包
TPCA8003-H(TE12LQM MOSFET N-CH 30V 35A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	6.6 毫欧 @ 18A，10V	2.3V @ 1mA	25 nC @ 10 V	±20V	1465 pF @ 10 V	-	1.6W（Ta），45W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOP Advance（5x5）	8-PowerVDFN
ATP216-TL-H MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK onsemi	0 现货	停产	-	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	50 V	35A（Ta）	1.8V，4.5V	23 毫欧 @ 18A，4.5V	-	30 nC @ 4.5 V	±10V	2700 pF @ 20 V	-	40W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	ATPAK	ATPAK（2 引线 + 凸片）
RJK5018DPK-00#T0 MOSFET N-CH 500V 35A TO3P Renesas Electronics Corporation	0 现货	在售	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	35A（Ta）	10V	155 毫欧 @ 17.5A，10V	-	104 nC @ 10 V	±30V	4100 pF @ 25 V	-	200W（Tc）	150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3
RJK0353DPA-WS#J0B MOSFET N-CH 30V 35A WPAK Renesas Electronics Corporation	0 现货	停产	-	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	35A（Ta）	4.5V，10V	5.2 毫欧 @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	14 nC @ 10 V	±20V	2180 pF @ 10 V	-	40W（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	WPAK（3F）（5x6）	8-PowerVDFN