35A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 V185 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4060 pF @ 15 V7900 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta)3W(Ta),35W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
HP8KE6TB1
RS1E350BNTB1
NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
Rohm Semiconductor
2,400
现货
1 : ¥25.20000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.50855
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 35A,10V
2.5V @ 1mA
185 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 15 V
-
3W(Ta),35W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E350BNTB
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Rohm Semiconductor
810
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.75711
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 35A,10V
2.5V @ 1mA
185 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 15 V
-
3W(Ta),35W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E350GNTB
MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
2,500
现货
1 : ¥21.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.53943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
35A(Ta),80A(Tc)
4.5V,10V
1.7 毫欧 @ 35A,10V
2.5V @ 1mA
68 nC @ 10 V
±20V
4060 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
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35A(Ta),80A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。