32A(Ta),160A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesInternational Rectifier
包装
剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 33A,10V1.8 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 100µA2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
39 nC @ 4.5 V53 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4160 pF @ 13 V4280 pF @ 13 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),54W(Tc)2.8W(Ta),75W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6795MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
887
现货
1 : ¥19.05000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
4280 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
INFIRFAUIRF7647S2TR
IRF6795MTRPBF
IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
International Rectifier
31,207
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
4280 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6795MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.8 毫欧 @ 32A,10V
2.35V @ 100µA
53 nC @ 4.5 V
±20V
4280 pF @ 13 V
-
2.8W(Ta),75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6894MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.3 毫欧 @ 33A,10V
2.1V @ 100µA
39 nC @ 4.5 V
±16V
4160 pF @ 13 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),54W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
DirectFET™ Isometric MX_A
IRF6894MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
32A(Ta),160A(Tc)
4.5V,10V
1.3 毫欧 @ 33A,10V
2.1V @ 100µA
39 nC @ 4.5 V
±16V
4160 pF @ 13 V
肖特基二极管(体)
2.1W(Ta),54W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DIRECTFET™ MX
DirectFET™ 等容 MX
显示
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32A(Ta),160A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。