32A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 50A,10V1.6 毫欧 @ 30A,10V2 毫欧 @ 30A,8V2.1 毫欧 @ 50A,10V2.4 毫欧 @ 25A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 4.5 V31 nC @ 4.5 V61 nC @ 10 V76 nC @ 10 V131 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3420 pF @ 15 V4280 pF @ 15 V4300 pF @ 20 V4400 pF @ 15 V10000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),125W(Tc)2.5W(Ta),96W(Tc)3.2W(Ta)3.6W(Ta),100W(Tc)
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)PG-TDSON-8-1PQFN(5x6)单芯片焊盘SuperSO8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC014N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Infineon Technologies
14,869
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.96061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SuperSO8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17303Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
5,069
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.21991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2.4 毫欧 @ 25A,8V
1.6V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
3420 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
2,656
现货
7,687
市场
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.09876
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2 毫欧 @ 30A,8V
1.6V @ 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
IRFH3707TR2PBF
IRFH5302TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
Infineon Technologies
3,635
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.64515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 100µA
76 nC @ 10 V
±20V
4400 pF @ 15 V
-
3.6W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)单芯片焊盘
8-PowerVDFN
TEXTISCSD86336Q3DT
CSD17303Q5
CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Texas Instruments
1,490
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
3V,8V
2.4 毫欧 @ 25A,8V
1.6V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
+10V,-8V
3420 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VSON-CLIP(5x6)
8-PowerTDFN
IRFH3707TR2PBF
IRFH5302TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
-
2.1 毫欧 @ 50A,10V
2.35V @ 100µA
76 nC @ 10 V
-
4400 pF @ 15 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PQFN(5x6)单芯片焊盘
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.91285
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
32A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.6 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
131 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
显示
/ 7

32A(Ta),100A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。