31A（Ta），205A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IQE013N04LM6CGSCATMA1 OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Infineon Technologies	8,492 现货	1 : ¥22.41000 剪切带（CT） 6,000 : ¥9.72493 卷带（TR）	OptiMOS™ 6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	31A（Ta），205A（Tc）	4.5V，10V	1.35 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-WHTFN-9-1	9-PowerWDFN
IQE013N04LM6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON Infineon Technologies	12,113 现货	1 : ¥14.28000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.54301 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	31A（Ta），205A（Tc）	-	1.35 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 51µA	55 nC @ 10 V	±20V	3900 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TSON-8-4	8-PowerTDFN
IQE013N04LM6CGATMA1 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3 Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥20.36000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.84191 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	31A（Ta），205A（Tc）	4.5V，10V	1.35 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 51µA	55 nC @ 10 V	±20V	3900 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装，可润湿侧翼	PG-TTFN-9-1	8-PowerTDFN
IQE013N04LM6SCATMA1 OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET Infineon Technologies	0 现货查看交期	1 : ¥22.41000 剪切带（CT） 6,000 : ¥9.72493 卷带（TR）	OptiMOS™ 6	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	31A（Ta），205A（Tc）	4.5V，10V	1.35 毫欧 @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 20 V	-	2.5W（Ta），107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-WHSON-8-1	8-PowerWDFN