30-WFBGA 单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Fairchild Semiconductoronsemi
包装
卷带（TR）散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.5A（Ta）13A（Ta）13.5A（Ta）25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 25A，10V5.6 毫欧 @ 13.5A，10V7 毫欧 @ 13.5A，10V7 毫欧 @ 14.5A，10V9.5 毫欧 @ 13A，4.5V10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 5 V43 nC @ 4.5 V51 nC @ 10 V53 nC @ 4.5 V56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1960 pF @ 15 V2409 pF @ 15 V2840 pF @ 15 V3540 pF @ 15 V3843 pF @ 15 V4280 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta）2.5W（Ta）
供应商器件封装
30-BGA（3.5x4）30-BGA（4x3.5）30-FLFBGA（3.55x4）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ206P
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Fairchild Semiconductor
369,292
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
13A（Ta）
2.5V，4.5V
9.5 毫欧 @ 13A，4.5V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±12V
4280 pF @ 10 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064AS
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Fairchild Semiconductor
34,720
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 13.5A，10V
3V @ 1mA
51 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 15 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064N
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
Fairchild Semiconductor
6,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 14.5A，10V
2V @ 250µA
43 nC @ 4.5 V
±12V
3843 pF @ 15 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ7064S
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
27,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 13.5A，10V
3V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±16V
2840 pF @ 15 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（3.5x4）
30-WFBGA
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ208P
MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
Fairchild Semiconductor
5,403
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.5A（Ta）
4.5V，10V
10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
35 nC @ 5 V
±25V
2409 pF @ 15 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
FDZ4670
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
onsemi
0
现货
3,000 : ¥5.09331
卷带（TR）
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta）
4.5V，10V
2.5 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-FLFBGA（3.55x4）
30-WFBGA
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
FDZ206P
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
13A（Ta）
2.5V，4.5V
9.5 毫欧 @ 13A，4.5V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±12V
4280 pF @ 10 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
FDZ7064N
MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 14.5A，10V
2V @ 250µA
43 nC @ 4.5 V
±12V
3843 pF @ 15 V
-
2.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-BGA（4x3.5）
30-WFBGA
显示
/ 8

30-WFBGA 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。