3-PowerUDFN 单 FET，MOSFET

结果 : 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）900mA（Ta）1.1A（Ta）1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
200 毫欧 @ 200mA，4.5V240 毫欧 @ 1A，4.5V600 毫欧 @ 200mA，4.5V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.55 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 25 V37 pF @ 16 V38 pF @ 10 V52 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）500mW500mW（Ta）670mW（Ta）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3 Power UDFN
DMN62D1LFDQ-7
MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Diodes Incorporated
2,930
现货
156,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80218
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.55 nC @ 4.5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
500mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
3 Power UDFN
DMN2451UFDQ-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
2,761
现货
5,049,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66787
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.1A（Ta）
1.5V，4.5V
200 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±12V
52 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
3 Power UDFN
DMN2400UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
10,000
现货
10,000 : ¥0.76344
卷带（TR）
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
1.5V，4.5V
600 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
37 pF @ 16 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
3 Power UDFN
DMN2400UFDQ-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
1,699
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
1.5V，4.5V
600 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
37 pF @ 16 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
3 Power UDFN
DMN2451UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.55225
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.1A（Ta）
1.5V，4.5V
200 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±12V
52 pF @ 16 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
3 Power UDFN
DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
Diodes Incorporated
0
现货
198,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥0.56358
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
1.5V，4.5V
240 毫欧 @ 1A，4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
38 pF @ 10 V
-
670mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN1212-3（C 类）
3-PowerUDFN
显示
/ 6

3-PowerUDFN 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。