29A(Ta),155A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 20A,10V2.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
34 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V78 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2900 pF @ 20 V5700 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
3.1W(Ta),89W(Tc)4W(Ta),115W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)DPAK
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
DPAK
NTD5C632NLT4G
T6 60V LL DPAK
onsemi
2,232
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.62714
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
29A(Ta),155A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±20V
5700 pF @ 25 V
-
4W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS5H419NLT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
onsemi
1,404
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.90581
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
29A(Ta),155A(Tc)
4.5V,10V
2.1 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
TO-252-3 SC-63
NVD5C632NLT4G
MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
onsemi
2,500
现货
1 : ¥28.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.96327
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
29A(Ta),155A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 50A,10V
2.1V @ 250µA
78 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 25 V
-
4W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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29A(Ta),155A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。