单 FET,MOSFET

结果 : 8
包装
卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V60 V80 V100 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A(Ta),106A(Tc)15A(Tc)26A(Tc)35A(Tc)45A(Tc)100A(Tc)-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 100A,10V12.6 毫欧 @ 35A,10V13.9 毫欧 @ 45A,10V32毫欧 @ 26A,10V60 毫欧 @ 15A,10V100 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA3.5V @ 33µA3.5V @ 45µA4V @ 270µA4V @ 89µA4V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V35 nC @ 10 V71 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1730 pF @ 40 V2300 pF @ 100 V2500 pF @ 50 V5500 pF @ 15 V11000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
2.2W(Ta),42W(Tc)33W(Tc)38W(Tc)79W(Tc)167W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
MG-WDSON-2PG-TO220 整包PG-TO263-3PG-TO263-7-3模具
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MXTO-220-3 整包TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)模具
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO220 Full Pack
IPA126N10NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 100V 39A TO220
Infineon Technologies
381
现货
1 : ¥10.51000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
35A(Tc)
6V,10V
12.6 毫欧 @ 35A,10V
3.5V @ 45µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
33W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-TO220 Full Pack
IPA320N20NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 200V 26A TO220
Infineon Technologies
2,258
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
26A(Tc)
10V
32毫欧 @ 26A,10V
4V @ 89µA
30 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 100 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-TO220 Full Pack
IPA600N25NM3SXKSA1
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
Infineon Technologies
291
现货
1 : ¥22.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
15A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 89µA
29 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 100 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
4,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
45A(Tc)
6V,10V
13.9 毫欧 @ 45A,10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 40 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
9,963
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
15A(Ta),106A(Tc)
4.5V,10V
2.4 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 15 V
-
2.2W(Ta),42W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MG-WDSON-2
DirectFET™ 等容 MX
0
现货
查看交期
1,000 : ¥5.87214
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
100A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 93µA
130 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 30 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
0
现货
4,435 : ¥27.17451
散装
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
-
10V
100 毫欧 @ 2A,10V
4V @ 270µA
-
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表面贴装型
模具
模具
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
IPP023N04NGHKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
在售
管件
在售
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。