单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.9 毫欧 @ 17A，10V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 4.5 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
64 pF @ 25 V4810 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
111,377
现货
3,470,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.47501
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
8-VSON (5x6)
CSD19532Q5B
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,705
现货
1 : ¥20.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.04954
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
4.9 毫欧 @ 17A，10V
3.2V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4810 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。