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单 FET，MOSFET
结果 : 4
系列
包装
产品状态
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率耗散（最大值）
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
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市场产品
4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | Vgs（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | FET 功能 | 功率耗散（最大值） | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 3,198 现货 | 1 : ¥59.36000 剪切带（CT） 2,000 : ¥31.54856 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 80 V | 43A（Ta），425A（Tc） | 6V，10V | 1.05 毫欧 @ 150A，10V | 3.8V @ 280µA | 223 nC @ 10 V | ±20V | 16000 pF @ 40 V | - | 3.8W（Ta），375W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装型 | PG-HSOF-8 | 8-PowerSFN | ||
 | 793 现货 | 1 : ¥13.79000 管件 | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 80 V | 22A（Ta），115A（Tc） | 6V，10V | 4 毫欧 @ 80A，10V | 3.8V @ 85µA | 81 nC @ 10 V | ±20V | 3800 pF @ 40 V | - | 3.8W（Ta），150W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 通孔 | PG-TO220-3 | TO-220-3 | ||
 | 3,433 现货 | 1 : ¥64.04000 剪切带（CT） 1,800 : ¥36.32474 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 80 V | 42A（Ta），408A（Tc） | 6V，10V | 1.1 毫欧 @ 150A，10V | 3.8V @ 280µA | 223 nC @ 10 V | ±20V | 17000 pF @ 40 V | - | 3.8W（Ta），375W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 表面贴装型 | PG-HSOG-8-1 | 8-PowerSMD，鸥翼 | ||
 | 0 现货 | 500 : ¥17.01368 管件 | 管件 | 停产 | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 100 V | 100A（Tc） | 10V | 5.4 毫欧 @ 100A，10V | 4V @ 250µA | 181 nC @ 10 V | ±20V | 12000 pF @ 50 V | - | 300W（Tc） | -55°C ~ 175°C（TJ） | 通孔 | PG-TO220-3 | TO-220-3 |
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