单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
390mA（Ta）2A（Ta），8.4A（Tc）3A（Ta）5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42 毫欧 @ 3.8A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V307 毫欧 @ 2A，10V1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1.5µA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
56 pF @ 15 V476 pF @ 10 V705 pF @ 15 V885 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）1.5W（Ta）1.7W（Tc）2.3W（Ta），40W（Tc）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）PG-SOT323SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerWDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43742
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-MLP, Power33
FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
onsemi
22,016
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.17537
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta），8.4A（Tc）
6V，10V
307 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
885 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-323
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
76,232
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
390mA（Ta）
2.5V，4.5V
1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
1.2V @ 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
187,562
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74211
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。