单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）13.5A（Ta）17A（Ta）25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 25A，4.5V8.5 毫欧 @ 13.5A，10V30 毫欧 @ 25A，10V90 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 8µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V16.3 nC @ 10 V50 nC @ 10 V70 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
525 pF @ 30 V1220 pF @ 25 V2500 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）3.1W（Ta）7.8W（Tc）29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
8-SOICPG-TO252-3-11SOT-223
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
AOSP66920
MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
37,614
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.26689
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.5A（Ta）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
13,420
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.17898
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Tc）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
525 pF @ 30 V
-
7.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO252-3
IPD25N06S4L30ATMA2
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Infineon Technologies
14,454
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.53800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 8µA
16.3 nC @ 10 V
±16V
1220 pF @ 25 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
SI4864DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 17A 8SO
Vishay Siliconix
2,208
现货
1 : ¥33.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥16.25818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
17A（Ta）
2.5V，4.5V
3.5 毫欧 @ 25A，4.5V
2V @ 250µA
70 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。