单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®MDmesh™Polar P3™STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V200 V650 V3000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）2A（Tc）4A（Tc）11A（Tc）24A（Tc）42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
63 毫欧 @ 21A，10V77.5 毫欧 @ 15A，10V100 毫欧 @ 1.5A，10V500 毫欧 @ 6.6A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V21 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA4V @ 250µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 5 V38 nC @ 10 V44 nC @ 10 V73 nC @ 10 V100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V340 pF @ 25 V1200 pF @ 25 V1710 pF @ 50 V1890 pF @ 25 V4400 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）3.3W（Tc）125W（Tc）144W（Tc）250W（Tc）520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKSOT-223SOT-23-3TO-263（D2PAK）TO-268HV（IXTT）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
76,622
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.02542
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 1.5A，10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
D2Pak
STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
1,985
现货
1 : ¥74.63000
剪切带（CT）
1,000 : ¥42.33484
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
42A（Tc）
10V
63 毫欧 @ 21A，10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4400 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
71,303
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
29,246
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
800 : ¥7.83626
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
24A（Tc）
10V
77.5 毫欧 @ 15A，10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IRF9640STRRPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
5,188
现货
1 : ¥19.13000
剪切带（CT）
800 : ¥12.71494
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
11A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-268
IXTT2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Littelfuse Inc.
245
现货
1 : ¥408.85000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
2A（Tc）
10V
21 欧姆 @ 1A，10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
1890 pF @ 25 V
-
520W（Tc）
-55°C ~ 155°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。