单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 5A，4.5V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V35 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
115 pF @ 10 V2850 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）950mW（Ta）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SC-89，SOT-490SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
10,247
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57761
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
TSMT6
RQ6A050ZPTR
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Rohm Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.83583
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5A（Ta）
1.5V，4.5V
26 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
35 nC @ 4.5 V
±10V
2850 pF @ 6 V
-
950mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。