单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-FemtoFET™NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
540mA（Ta）2.3A（Ta）9A（Ta）32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 30A，8V16 毫欧 @ 7A，4.5V64 毫欧 @ 500mA，8V1 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V31 nC @ 4.5 V59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
76 pF @ 15 V347 pF @ 15 V2760 pF @ 15 V4280 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
460mW（Ta）500mW（Ta）730mW（Ta）3.2W（Ta）
供应商器件封装
3-PICOSTAR8-VSON-CLIP（5x6）U-DFN2020-6（F 类）X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMP31D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Diodes Incorporated
73,721
现货
160,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.80867
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
540mA（Ta）
1.8V，4.5V
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
460mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
3-Picostar
CSD17382F4
MOSFET N-CH 30V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
5,820
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78888
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.3A（Ta）
1.8V，8V
64 毫欧 @ 500mA，8V
1.2V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
10V
347 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMP2021UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Diodes Incorporated
54,207
现货
456,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.00423
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
9A（Ta）
1.5V，4.5V
16 毫欧 @ 7A，4.5V
1V @ 250µA
59 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 15 V
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD17311Q5
MOSFET N-CH 30V 32A/100A 8VSON
Texas Instruments
2,662
现货
7,687
市场
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.09876
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
2 毫欧 @ 30A，8V
1.6V @ 250µA
31 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
4280 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。