单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS®-P2TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）400mA（Ta）4.2A（Ta）6.2A（Ta）37.1A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 90A，10V40 毫欧 @ 6.2A，10V43 毫欧 @ 9.2A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2V @ 253µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V55 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V40 pF @ 10 V808 pF @ 15 V2900 pF @ 30 V4600 pF @ 50 V11300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）1.4W（Ta）3.1W（Ta）8.3W（Ta），136W（Tc）137W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TO252-3-11SOT-23-3TO-252
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
129,455
现货
2,990,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.40486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
AO4421
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
322,918
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.19612
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 6.2A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
7,174
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.95796
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
-
4.1 毫欧 @ 90A，10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V，-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
3,123
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
463,279
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
265,397
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。