单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DepletionEFHEXFET®HiPerFET™, Polar3™SuperMESH™UniFET™
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
55 V200 V400 V500 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Tc）8A（Tc）10A（Tc）14A（Tc）16A（Tc）17A（Tc）20A（Tc）23A（Tc）50A（Tc）110A（Tc）169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 101A，10V8 毫欧 @ 62A，10V40 毫欧 @ 28A，10V195 毫欧 @ 10A，10V200 毫欧 @ 14A，10V240 毫欧 @ 8A，0V260 毫欧 @ 10A，10V270 毫欧 @ 12A，10V270 毫欧 @ 8.5A，10V300 毫欧 @ 10A，10V400 毫欧 @ 8.4A，10V400 毫欧 @ 9.6A，10V600 毫欧 @ 5A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA5V @ 1.5mA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V36 nC @ 10 V38 nC @ 10 V64 nC @ 10 V65 nC @ 10 V90 nC @ 10 V119 nC @ 10 V130 nC @ 10 V146 nC @ 10 V150 nC @ 10 V199 nC @ 5 V210 nC @ 10 V234 nC @ 10 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
526 pF @ 100 V1018 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V1889 pF @ 100 V1900 pF @ 25 V2038 pF @ 25 V2600 pF @ 25 V3247 pF @ 25 V3390 pF @ 25 V3900 pF @ 25 V4057 pF @ 25 V4200 pF @ 25 V4500 pF @ 25 V5250 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
38.5W（Tc）125W（Tc）147W（Tc）150W（Tc）190W（Tc）200W（Tc）208W（Tc）280W（Tc）300W（Tc）330W（Tc）380W（Tc）695W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-220F-3TO-247-3TO-247（IXTH）TO-247ACTO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF840APBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,126
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±30V
1018 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
2,857
现货
1 : ¥27.99000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STMicroelectronics
165
现货
1 : ¥31.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
17A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 8.5A，10V
4.5V @ 100µA
119 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
158
现货
1 : ¥33.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
50A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
234 nC @ 10 V
±20V
4057 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
7,120
现货
1 : ¥37.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 12A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
280W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB
IRF740BPBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
209
现货
1 : ¥11.74000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
10A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 5A，10V
5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
526 pF @ 100 V
-
147W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1405PBF
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Infineon Technologies
13,015
现货
1 : ¥14.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
169A（Tc）
10V
5.3 毫欧 @ 101A，10V
4V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
5480 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450APBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
485
现货
1 : ¥30.87000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 8.4A，10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±30V
2038 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP360PBF
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
Vishay Siliconix
1,985
现货
1 : ¥40.06000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
23A（Tc）
10V
200 毫欧 @ 14A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
280W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247AC
SIHG24N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Vishay Siliconix
382
现货
1 : ¥47.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
20A（Tc）
10V
195 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±30V
1889 pF @ 100 V
-
208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Littelfuse Inc.
346
现货
1 : ¥54.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
300 毫欧 @ 10A，10V
5V @ 1.5mA
36 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
380W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFPC60PBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
313
现货
1 : ¥56.32000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 9.6A，10V
4V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
280W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFPE40PBF
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Vishay Siliconix
373
现货
1 : ¥34.40000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.4A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 3.2A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRF3205PBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥12.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
110A（Tc）
10V
8 毫欧 @ 62A，10V
4V @ 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220F
FDPF20N50FT
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥27.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 10A，10V
5V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±30V
3390 pF @ 25 V
-
38.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH16N50D2
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥130.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
16A（Tc）
0V
240 毫欧 @ 8A，0V
-
199 nC @ 5 V
±20V
5250 pF @ 25 V
耗尽模式
695W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。