单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Littelfuse Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-HiPerFET™, PolarSuperMESH™
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
500 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A（Tc）17A（Tc）20A（Tc）22A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 10A，10V270 毫欧 @ 11A，10V270 毫欧 @ 8.5A，10V2 欧姆 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V119 nC @ 10 V130 nC @ 10 V170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 25 V2600 pF @ 25 V2630 pF @ 25 V3094 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
150W（Tc）190W（Tc）278W（Tc）350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247-3TO-247ACTO-247AD（IXFH）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 HiP
STW20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
STMicroelectronics
205
现货
1 : ¥31.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
17A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 8.5A，10V
4.5V @ 100µA
119 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
190W（Tc）
150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460BPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
594
现货
1 : ¥26.60000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
20A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
3094 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-247_IXFH
IXFH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AD
Littelfuse Inc.
290
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
22A（Tc）
10V
270 毫欧 @ 11A，10V
5.5V @ 2.5mA
50 nC @ 10 V
±30V
2630 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AD（IXFH）
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFPE40PBF
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Vishay Siliconix
373
现货
1 : ¥34.40000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
5.4A（Tc）
10V
2 欧姆 @ 3.2A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。