单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
HEXFET®PolarHT™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
75 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），90A（Tc）36A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 80A，10V9.4 毫欧 @ 53A，10V110 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V110 nC @ 10 V138 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2250 pF @ 25 V3270 pF @ 25 V6600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
170W（Tc）300W（Tc）310W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKTO-263（D2PAK）TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB045AN08A0
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
onsemi
360
现货
1 : ¥29.80000
剪切带（CT）
800 : ¥17.97680
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
19A（Ta），90A（Tc）
6V，10V
4.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
138 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Littelfuse Inc.
1,248
现货
1 : ¥40.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
36A（Tc）
10V
110 毫欧 @ 18A，10V
5.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Infineon Technologies
843
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
800 : ¥10.83315
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
75A（Tc）
10V
9.4 毫欧 @ 53A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3270 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。