单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Ta）3.8A（Ta）4.2A（Ta）300A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 100A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V70 毫欧 @ 3.8A，10V1 欧姆 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.1V @ 250µA3.8V @ 275µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V231 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
141 pF @ 50 V808 pF @ 15 V1008 pF @ 25 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）1.08W（Ta）1.4W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2SOT-23-3
封装/外壳
16-PowerSOP 模块TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
162,029
现货
2,232,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52630
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
79,109
现货
597,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.57004
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
600mA（Ta）
6V，10V
1 欧姆 @ 600mA，10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N011TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
1,142
现货
1 : ¥59.60000
剪切带（CT）
1,800 : ¥33.78818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tj）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
SOT-23-3
DMP3098LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
205,117
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79326
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
8 nC @ 4.5 V
±20V
1008 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。