单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Ta），22A（Tc）60A（Tc）95A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 20A，10V7 毫欧 @ 10A，10V8 毫欧 @ 20A，10V8.2 毫欧 @ 10A，10V15 毫欧 @ 20A，10V25 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V36 nC @ 10 V54 nC @ 10 V60 nC @ 10 V75 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1305 pF @ 50 V1855 pF @ 40 V1942 pF @ 25 V2866 pF @ 50 V3000 pF @ 25 V3800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）68W（Tc）125W（Tc）135W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8DC
SIDR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Vishay Siliconix
19,694
现货
1 : ¥16.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.29492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
95A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
2866 pF @ 50 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
8-PQFN
FDMS86102LZ
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
onsemi
56,320
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.37983
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7A（Ta），22A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1305 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
PowerPak SO-8L
SQJA82EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,612
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.88436
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A（Tc）
4.5V，10V
8.2 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,042
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.33254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A（Tc）
4.5V，10V
7 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK_SO-8L_Primary
SQJ186EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,531
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.19246
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1942 pF @ 25 V
-
135W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,804
现货
1 : ¥17.98000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.07750
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
60A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
1855 pF @ 40 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。