单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
AlphaSGT™CoolMOS™ P7TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
100 V150 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）7.2A（Ta），26.2A（Tc）8.9A（Tc）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
31.5 毫欧 @ 10A，10V140 毫欧 @ 2A，10V180 毫欧 @ 5.6A，10V295 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.8 nC @ 10 V15 nC @ 10 V25 nC @ 10 V42 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 50 V770 pF @ 75 V1081 pF @ 400 V1190 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）4.1W（Ta），54.3W（Tc）52W（Tc）72W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SSOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8STO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
433,552
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75938
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 2A，10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
32,518
现货
1 : ¥13.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.52208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
18A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 5.6A，10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,445
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.38864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8.9A（Tc）
6V，10V
295 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1190 pF @ 50 V
-
52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8S
SISS5710DN-T1-GE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
5,845
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.07632
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
7.2A（Ta），26.2A（Tc）
7.5V，10V
31.5 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 75 V
-
4.1W（Ta），54.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。