单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 6PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）320mA（Ta）500mA（Ta）630mA（Ta）760mA（Tj）4.1A（Ta）8.8A（Ta）12.5A（Ta），50A（Tc）15A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 20A，10V20 毫欧 @ 8.8A，10V25.2 毫欧 @ 12.5A，10V46 毫欧 @ 4.1A，4.5V360 毫欧 @ 350mA，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V1.8 欧姆 @ 220mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 5µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 10 V2.1 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V3.5 nC @ 4.5 V9.5 nC @ 10 V40 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V27 pF @ 25 V40 pF @ 10 V45 pF @ 25 V50 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V156 pF @ 5 V290 pF @ 16 V650 pF @ 20 V1845 pF @ 15 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）280mW（Ta）300mW（Ta）313mW（Tj）350mW（Ta）600mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Ta），38W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICMicro3™/SOT-23PG-TSDSON-8-FLSC-89-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SOT-523TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-89，SOT-490SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
显示
/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
204,945
现货
3,672,000
工厂
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28094
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247,170
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
332,406
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
114,993
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-89-3_463C
NTE4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
onsemi
82,605
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80196
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
313mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-89-3
SC-89，SOT-490
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
353,846
现货
7,722,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57291
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
223,649
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.1A（Ta）
2.5V，4.5V
46 毫欧 @ 4.1A，4.5V
1.1V @ 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
onsemi
16,974
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.13159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.8A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±25V
1845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-23-3
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
6,700
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Diodes Incorporated
463,151
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51311
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
4.5V，10V
1.8 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 10 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSDSON-8
BSZ063N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12,448
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.24010
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6.3 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-252
SUD50P08-25L-BE3
MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Vishay Siliconix
4,088
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48430
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
12.5A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。