单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Tc）200mA（Ta）380mA（Ta）1.4A（Ta）4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.7V，4.5V5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 6.2A，4.5V150 毫欧 @ 1.2A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 200mA，5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V5.06 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V409 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）350mW（Ta）370mW（Ta）1.3W（Ta）
供应商器件封装
8-SOICSC-70-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
71,805
现货
55,749,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28983
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
565,025
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37018
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
50,947
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.38341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC70-3
AO7401
MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
137,207
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
2.5V，10V
150 毫欧 @ 1.2A，10V
1.4V @ 250µA
5.06 nC @ 4.5 V
±12V
409 pF @ 15 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-3
SC-70，SOT-323
8-SOIC
SI9433BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
Vishay Siliconix
1,126
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.91336
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.5A（Ta）
2.7V，4.5V
40 毫欧 @ 6.2A，4.5V
1.5V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。