单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Littelfuse Inc.Micro Commercial CoSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIIPolarP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Tc）80A130A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 13A，10V8 毫欧 @ 20A，10V350 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
82 nC @ 10 V96 nC @ 10 V196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5450 pF @ 30 V6340 pF @ 40 V11100 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
120W（Tj）135W（Tc）890W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN5060PowerFlat™（5x6）TO-264（IXTK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerTDFN
MCAC80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
4,428
现货
1 : ¥25.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.78598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±18V
5450 pF @ 30 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
PowerFlat™
STL130N8F7
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
STMicroelectronics
10,953
现货
1 : ¥23.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.54159
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
130A（Tc）
10V
3.6 毫欧 @ 13A，10V
4.5V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±20V
6340 pF @ 40 V
-
135W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
TO-264
IXTK32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥169.20000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
32A（Tc）
10V
350 毫欧 @ 16A，10V
4V @ 1mA
196 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-264（IXTK）
TO-264-3，TO-264AA
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。