单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ G7CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
50 V200 V600 V650 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）5A（Tc）10A（Tc）13A（Tc）15A（Tc）16A（Tc）17.5A（Tc）19A（Tc）20A（Tc）27A（Tc）40A（Tc）48A（Tc）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 15.1A，10V60 毫欧 @ 15.9A，10V75 毫欧 @ 11.4A，10V125 毫欧 @ 6.4A，10V125 毫欧 @ 6.8A，10V130 毫欧 @ 5.3A，10V145 毫欧 @ 6.8A，10V155 毫欧 @ 6.4A，10V170 毫欧 @ 4.9A，10V310 毫欧 @ 10.4A， 10V360 毫欧 @ 2.9A，10V690 毫欧 @ 2.5A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA3.5V @ 520µA4V @ 260µA4V @ 320µA4V @ 800µA4.5V @ 140µA4.5V @ 240µA4.5V @ 320µA4.5V @ 340µA4.5V @ 570µA4.5V @ 760µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V12.7 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V27 nC @ 10 V28 nC @ 10 V31 nC @ 10 V51 nC @ 10 V61 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
38 pF @ 25 V250 pF @ 25 V534 pF @ 400 V1016 pF @ 400 V1080 pF @ 400 V1283 pF @ 400 V1329 pF @ 400 V1330 pF @ 400 V1765 pF @ 400 V2102 pF @ 400 V2724 pF @ 400 V2895 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta）43W（Tc）68W（Tc）77W（Tc）83W（Tc）120W（Tc）125W（Tc）137W（Tc）164W（Tc）176W（Tc）266W（Tc）329W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-HDSOP-10-1PG-TO252-3-344PG-TO263-3PG-TO263-3-2SOT-323TO-252AATO-252AA (DPAK)
封装/外壳
10-PowerSOP 模块SC-70，SOT-323TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252AA
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
onsemi
11,709
现货
60,000
工厂
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.54517
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
690 毫欧 @ 2.5A，10V
5V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
2,806
现货
1 : ¥44.58000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.03901
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSS138W
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
onsemi
108,256
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65944
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
210mA（Ta）
4.5V，10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 1mA
1.1 nC @ 10 V
±20V
38 pF @ 25 V
-
340mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
6,137
现货
1 : ¥22.66000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.02495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
145 毫欧 @ 6.8A，10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 400 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
1,616
现货
1 : ¥29.80000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.39264
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
17.5A（Tc）
10V
310 毫欧 @ 10.4A， 10V
3.5V @ 520µA
61 nC @ 10 V
±30V
1765 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Infineon Technologies
2,465
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.88222
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 2.9A，10V
4.5V @ 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
43W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
600VCoolMOS
IPDD60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,698
现货
1 : ¥28.73000
剪切带（CT）
1,700 : ¥14.83719
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
27A（Tc）
-
125 毫欧 @ 6.8A，10V
4.5V @ 340µA
31 nC @ 10 V
±20V
1329 pF @ 400 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,700
现货
1 : ¥47.78000
剪切带（CT）
1,700 : ¥24.69302
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
40A（Tc）
-
75 毫欧 @ 11.4A，10V
4.5V @ 570µA
51 nC @ 10 V
±20V
2102 pF @ 400 V
-
266W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
10-PowerSOP Module
IPDD60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,467
现货
1 : ¥49.67000
剪切带（CT）
1,700 : ¥28.15195
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
52A（Tc）
-
55 毫欧 @ 15.1A，10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2724 pF @ 400 V
-
329W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
P/PG-HDSOP-10-1
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Infineon Technologies
1,387
现货
1 : ¥31.53000
剪切带（CT）
1,700 : ¥16.31511
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 6.4A，10V
4V @ 320µA
27 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
600VCoolMOS
IPDD60R170CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Infineon Technologies
37
现货
1 : ¥24.38000
剪切带（CT）
1,700 : ¥11.56689
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
19A（Tc）
-
170 毫欧 @ 4.9A，10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1016 pF @ 400 V
-
137W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-10-1
10-PowerSOP 模块
D²Pak
IPB60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥21.59000
剪切带（CT）
1,000 : ¥10.23533
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
13A（Tc）
10V
130 毫欧 @ 5.3A，10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
0
现货
查看交期
1 : ¥24.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.70722
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
15A（Tc）
10V
155 毫欧 @ 6.4A，10V
4.5V @ 320µA
28 nC @ 10 V
±20V
1283 pF @ 400 V
-
77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。