单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）500mA（Ta）5A（Tc）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.5V，4.5V1.8V，8V3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.6 毫欧 @ 6A，8V24 毫欧 @ 4A，8V366 毫欧 @ 200mA，4.5V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.55V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.96 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V60 pF @ 10 V340 pF @ 12.5 V1400 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）360mW（Ta）1W（Ta）2.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-SONSOT-23FVMT3X2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFN6-SMD，扁平引线SOT-23-3 扁平引线SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
608,172
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.50622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
362,255
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87864
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
CSD-6-SON Pkg
CSD16301Q2
MOSFET N-CH 25V 5A 6SON
Texas Instruments
20,216
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32358
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5A（Tc）
3V，8V
24 毫欧 @ 4A，8V
1.55V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 12.5 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-SON
6-SMD，扁平引线
DMN1260UFA-7B
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Diodes Incorporated
23,666
现货
110,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.44670
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
500mA（Ta）
1.5V，4.5V
366 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.96 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。