单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A（Ta）8.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V315 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 3.7µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 5 V30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
143 pF @ 10 V880 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）3.8W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT323PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
204,375
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64340
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.5A（Ta）
2.5V，4.5V
140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11,085
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.12556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
8.9A（Tc）
7.5V，10V
315 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。