单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
AlphaSGT™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Ta），60A（Tc）40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.1 毫欧 @ 20A，10V9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V30 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1480 pF @ 20 V1600 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
6.2W（Ta），52W（Tc）42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3-11TO-252（DPAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Infineon Technologies
91,944
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.07196
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
40A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252, (D-Pak)
AOD66406
MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
38,475
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.55546
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
6.1 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 20 V
-
6.2W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。