单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Littelfuse Inc.
系列
-HiPerFET™, Polar3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40mA（Ta）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
56 毫欧 @ 55A，10V500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 8µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 10 V245 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 25 V18000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.39W（Ta）1500W（Tc）
安装类型
底座安装表面贴装型
供应商器件封装
SOT-227BSOT-23A-3
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXYK1x0xNxxxx
IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
Littelfuse Inc.
639
现货
1 : ¥343.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
90A（Tc）
10V
56 毫欧 @ 55A，10V
5V @ 8mA
245 nC @ 10 V
±30V
18000 pF @ 25 V
-
1500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-23-3
AO3160E
MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,754
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71836
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
40mA（Ta）
4.5V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
3.2V @ 8µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
9.5 pF @ 25 V
-
1.39W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23A-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。