单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
系列
-AlphaSGT™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）4.7A（Ta），20A（Tc）30A（Ta），158A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V62 毫欧 @ 4.5A，10V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA2.6V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V97 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
228 pF @ 50 V476 pF @ 10 V5117 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2W（Ta）7.3W（Ta），208W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）PowerDI3333-8（UX 类）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
107,522
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43740
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMT10H072LFV-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Diodes Incorporated
5,309
现货
298,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.33384
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.7A（Ta），20A（Tc）
6V，10V
62 毫欧 @ 4.5A，10V
2.8V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
228 pF @ 50 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
3,000 : ¥5.67868
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
30A（Ta），158A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
97 nC @ 10 V
±20V
5117 pF @ 50 V
-
7.3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。