单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™ H6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）16A（Tc）60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.2 毫欧 @ 20A，10V15 毫欧 @ 4.5A，10V29 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.2 nC @ 4.5 V24 nC @ 4.5 V76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1875 pF @ 20 V2450 pF @ 50 V2615 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta）6.25W（Ta），104W（Tc）62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
82,982
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.06267
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
16A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK SO-8
SIR804DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,899
现货
1 : ¥22.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.14561
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
7.2 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
76 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 50 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PowerFlat
STL9P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
STMicroelectronics
66,637
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.51764
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Tc）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 4.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
24 nC @ 4.5 V
±20V
2615 pF @ 25 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。