单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS®-P2OptiMOS™-P2TrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)79A(Tc)90A(Ta)90A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 100A,10V3.8 毫欧 @ 100A,10V4 毫欧 @ 30A,10V4.3 毫欧 @ 45A,10V4.3 毫欧 @ 90A,10V4.5 毫欧 @ 90A,10V4.7 毫欧 @ 90A,10V5.1 毫欧 @ 30A,10V8.1 毫欧 @ 22A,10V8.5 毫欧 @ 25A,10V9.4 毫欧 @ 17A,10V10.6 毫欧 @ 50A,10V11 毫欧 @ 9.8A,10V25 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.2V @ 85µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 253µA4V @ 340µA4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
59 nC @ 10 V104 nC @ 10 V130 nC @ 10 V137 nC @ 10 V154 nC @ 10 V155 nC @ 10 V159 nC @ 10 V172 nC @ 10 V176 nC @ 10 V205 nC @ 10 V210 nC @ 10 V250 nC @ 10 V280 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+5V,-16V+10V,-20V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 25 V4497 pF @ 20 V5350 pF @ 25 V5380 pF @ 20 V6675 pF @ 20 V7700 pF @ 10 V9950 pF @ 25 V10300 pF @ 25 V11570 pF @ 25 V13980 pF @ 20 V14500 pF @ 25 V14790 pF @ 25 V17640 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),73.5W(Tc)3.7W(Ta),115W(Tc)58W(Tc)71W(Tc)107W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)137W(Tc)150W(Tc)180W(Tc)375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
供应商器件封装
DPAK+PG-TO252-3-11PG-TO252-3-313PG-TO263-3-2PG-TO263-7-3TO-252(DPAK)TO-252AATO-263(D2PAK)
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,220
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.88956
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
8.1 毫欧 @ 22A,10V
2.5V @ 250µA
159 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),73.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,966
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.57438
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Ta)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 45A,10V
2V @ 1mA
172 nC @ 10 V
+10V,-20V
7700 pF @ 10 V
-
180W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
8,872
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
4.3 毫欧 @ 90A,10V
2.2V @ 250µA
176 nC @ 10 V
+5V,-16V
11570 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,296
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
50A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10.5A,10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB120P04P404ATMA2
MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Infineon Technologies
13,437
现货
1 : ¥30.70000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.88113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
-
3.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 340µA
205 nC @ 10 V
±20V
14790 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252
SQD40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
8,444
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.46967
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
10V
8.5 毫欧 @ 25A,10V
2.5V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
9950 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Vishay Siliconix
4,717
现货
1 : ¥12.97000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.37853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
100A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
280 nC @ 10 V
±20V
14500 pF @ 25 V
-
107W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
12,347
现货
1 : ¥17.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.95796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
90A(Tc)
-
4.5 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 253µA
130 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
137W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD90P04P405ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Infineon Technologies
1,312
现货
1 : ¥20.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.38390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 90A,10V
4V @ 250µA
154 nC @ 10 V
±20V
10300 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Vishay Siliconix
9,679
现货
1 : ¥22.99000
剪切带(CT)
2,000 : ¥11.17790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263 (D2Pak)
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Vishay Siliconix
876
现货
1 : ¥28.73000
剪切带(CT)
800 : ¥17.33736
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
120A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
13980 pF @ 20 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-7, D2Pak
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Infineon Technologies
1,765
现货
1 : ¥32.84000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.34511
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
180A(Tc)
-
2.8 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 410µA
250 nC @ 10 V
±20V
17640 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO252-3
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
9
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.65867
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
50A(Tc)
4.5V,10V
10.6 毫欧 @ 50A,10V
2.2V @ 85µA
59 nC @ 10 V
±16V
3900 pF @ 25 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMPH4011SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
2,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥4.11725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±20V
4497 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SQD90P04_9M4LT4GE3
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
2,500 : ¥5.37854
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
90A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 17A,10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
6675 pF @ 20 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。