单 FET,MOSFET

结果 : 3
系列
OptiMOS™OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
漏源电压(Vdss)
40 V60 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)40A(Tj)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 100A,10V5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 30µA3.4V @ 29µA3.8V @ 155µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30.5 nC @ 10 V52 nC @ 10 V117 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2200 pF @ 30 V2800 pF @ 25 V8130 pF @ 37.5 V
功率耗散(最大值)
71W(Tc)214W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-33
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
28,103
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.82779
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
2.8 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 30µA
52 nC @ 10 V
±16V
2800 pF @ 25 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
IAUZ40N06S5N050ATMA1
IAUZ40N06S5N050ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
Infineon Technologies
9,659
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.27622
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tj)
-
5 毫欧 @ 20A,10V
3.4V @ 29µA
30.5 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 30 V
-
71W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-33
8-PowerTDFN
SGP15N60XKSA1
IPP034NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Infineon Technologies
1,425
现货
1 : ¥20.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
100A(Tc)
10V
3.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 155µA
117 nC @ 10 V
±20V
8130 pF @ 37.5 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。