单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedSTMicroelectronics
系列
-MDmesh™ V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）7.2A（Ta），23.6A（Tc）15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 7A，10V240 毫欧 @ 7.5A，10V1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.88 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 25 V1240 pF @ 100 V1377 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）1.9W（Ta）57W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）SOT-523TO-252-3
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-523TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
16,861
现货
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.82825
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
15A（Tc）
10V
240 毫欧 @ 7.5A，10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
57W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
TO-252-2
DMPH6050SK3-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Diodes Incorporated
33,188
现货
320,000
工厂
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.96165
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.2A（Ta），23.6A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1377 pF @ 30 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
246
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.36319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
450mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.1 欧姆 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.88 nC @ 4.5 V
8V
55 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。