单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）10.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V38 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17.6 nC @ 4.5 V50.4 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1651 pF @ 15 V2588 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta）1.73W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）TSOT-26
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSOT-26
DMN1019UVT-7
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Diodes Incorporated
7,277
现货
21,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10.7A（Ta）
1.2V，4.5V
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
800mV @ 250µA
50.4 nC @ 8 V
±8V
2588 pF @ 10 V
-
1.73W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT 23-3
NTR3A30PZT1G
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
onsemi
3,175
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.14452
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.8V，4.5V
38 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
17.6 nC @ 4.5 V
±8V
1651 pF @ 15 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。