单 FET,MOSFET
结果 : 2
制造商
包装
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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43,156 现货 40,000 工厂 | 1 : ¥4.02000 散装 | - | 散装 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 200mA(Ta) | 4.5V,10V | 5 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-92-3 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | ||
2,742 现货 | 1 : ¥8.78000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 10A(Tc) | 4V,5V | 200 毫欧 @ 6A,5V | 2V @ 250µA | 8.4 nC @ 5 V | ±10V | 400 pF @ 25 V | - | 43W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-220AB | TO-220-3 |
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