单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Rohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
8 V20 V30 V85 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
510mA（Ta）7.4A（Ta）25A（Tc）25.4A（Ta），100A（Tc）96A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V4V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V9.9 毫欧 @ 1A，4.5V13 毫欧 @ 48A，10V63 毫欧 @ 25A，10V990 毫欧 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.05V @ 250µA2.5V @ 1mA3.1V @ 345µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V60 nC @ 5 V180 nC @ 10 V186 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-6V±8V±15V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27.6 pF @ 16 V1390 pF @ 4 V8000 pF @ 25 V13100 pF @ 25 V14000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）600mW（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）50W（Tc）298W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
4-PICOSTARLPTSPG-TDSON-8-1TO-263AAX2-DFN0806-3
封装/外壳
3-XFDFN4-XFLGA8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SBR 3-DFN
DMN2990UFA-7B
MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Diodes Incorporated
33,778
现货
4,770,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.95582
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
510mA（Ta）
1.2V，4.5V
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
27.6 pF @ 16 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
20,312
现货
1 : ¥19.62000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.52063
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.4A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263AB
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Littelfuse Inc.
8,448
现货
1 : ¥51.39000
剪切带（CT）
800 : ¥32.40934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
85 V
96A（Tc）
10V
13 毫欧 @ 48A，10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±15V
13100 pF @ 25 V
-
298W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
4-PICOSTAR
CSD22205L
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR
Texas Instruments
8,236
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
8 V
7.4A（Ta）
1.5V，4.5V
9.9 毫欧 @ 1A，4.5V
1.05V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
-6V
1390 pF @ 4 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-PICOSTAR
4-XFLGA
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,349
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.04648
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。