单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
750mA（Ta）3.9A（Ta）103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28毫欧 @ 60A，20V93 毫欧 @ 1.5A，4.5V400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA4.3V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V203 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±10V+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
67 pF @ 10 V290 pF @ 10 V2890 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）1W（Ta）535W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23SOT-23FTO-247-3
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,474
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Ta）
1.5V，4.5V
93 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
290 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-247-3
NVHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
onsemi
248
现货
450
工厂
1 : ¥289.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
103A（Tc）
20V
28毫欧 @ 60A，20V
4.3V @ 20mA
203 nC @ 20 V
+25V，-15V
2890 pF @ 800 V
-
535W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
4,971
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49478
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
1.2V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
67 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。